晶振的选择与应用
来源：http://m.hneyq.com 作者：yijindz 2012年04月30
任何窜入到振荡电路中的噪声信号都无疑对计时电路的准确性产生影响，在设计实时时钟
电路的印刷线路板必须采取一定的预防措施：
1、SMD晶振的位置要远离任何有高速数据通过的串行或并行总线，高速数据传输会在振荡电路
上产生感应信号。
2、 在晶振的周围布一条不封闭的地线，地线的一端连接到芯片的地线，地线可以有效地阻挡外部的噪声。
3、在晶振以及芯片所在位置的电路板的背面不要铺设地线，以免形成电容影响晶振频率的准确性。
关于第3点非常重要 ，至少要保证晶体和芯片的OSC引脚附件留出一定空间不要铺地，否则很容易形成寄生电容导致石英水晶振子起振困难或者振荡不稳定。
如果晶振不起振也有可能线路板问题，焊接如果偏离一点位置，会有一些不一样的影响
购买晶振时要注意的几项参数
4、 标称频率：晶体技术条件中规定的频率，通常标识在产品外壳上。
5、工作频率：晶体与工作电路共同产生的频率。
6、调整频差：在规定条件下，基准温度（25±2℃）时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。
7、温度频差：在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度（25±2℃）时工作频率的允许偏差。
8、老化率：在规定条件下，晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化
9、静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用C0表示。
10、负载电容：与晶体一起决定负载谐振频率fL的有效外界电容，通常用CL表示。
11、负载电容系列是：8PF、12.5PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
12、负载谐振频率（fL）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。
13、动态电阻：串联谐振频率下的等效电阻。用R1表示。
14、负载谐振电阻：在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用RL表示。RL＝R1（1+C0/CL）激励电平可选值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
14、基频：在振动模式最低阶次的振动频率。
15、泛音：晶体振动的机械谐波。泛音频率与基频频率之比接近整数倍但不是整数倍，这是它与电气谐波的主要区别。泛音振动有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
电路的印刷线路板必须采取一定的预防措施：
1、SMD晶振的位置要远离任何有高速数据通过的串行或并行总线，高速数据传输会在振荡电路
上产生感应信号。
2、 在晶振的周围布一条不封闭的地线，地线的一端连接到芯片的地线，地线可以有效地阻挡外部的噪声。
3、在晶振以及芯片所在位置的电路板的背面不要铺设地线，以免形成电容影响晶振频率的准确性。
关于第3点非常重要 ，至少要保证晶体和芯片的OSC引脚附件留出一定空间不要铺地，否则很容易形成寄生电容导致石英水晶振子起振困难或者振荡不稳定。如果晶振不起振也有可能线路板问题，焊接如果偏离一点位置，会有一些不一样的影响
购买晶振时要注意的几项参数
4、 标称频率：晶体技术条件中规定的频率，通常标识在产品外壳上。
5、工作频率：晶体与工作电路共同产生的频率。
6、调整频差：在规定条件下，基准温度（25±2℃）时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。
7、温度频差：在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度（25±2℃）时工作频率的允许偏差。
8、老化率：在规定条件下，晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化
9、静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用C0表示。
10、负载电容：与晶体一起决定负载谐振频率fL的有效外界电容，通常用CL表示。
11、负载电容系列是：8PF、12.5PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
12、负载谐振频率（fL）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。
13、动态电阻：串联谐振频率下的等效电阻。用R1表示。
14、负载谐振电阻：在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用RL表示。RL＝R1（1+C0/CL）激励电平可选值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
14、基频：在振动模式最低阶次的振动频率。15、泛音：晶体振动的机械谐波。泛音频率与基频频率之比接近整数倍但不是整数倍，这是它与电气谐波的主要区别。泛音振动有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
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