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光刻賦能NDK晶振開(kāi)啟800G/1.6T光通信新時(shí)代

來(lái)源：http://m.hneyq.com 作者：億金電子 2025年10月24

光刻賦能NDK晶振開(kāi)啟800G/1.6T光通信新時(shí)代
在數(shù)字經(jīng)濟(jì)高速發(fā)展的當(dāng)下,數(shù)據(jù)流量正以指數(shù)級(jí)速度增長(zhǎng).從4K/8K超高清視頻,云游戲到工業(yè)互聯(lián)網(wǎng),人工智能訓(xùn)練,每一個(gè)新興應(yīng)用場(chǎng)景都在不斷推高對(duì)網(wǎng)絡(luò)傳輸速率的需求.光通信技術(shù)作為支撐全球信息交互的核心基礎(chǔ)設(shè)施,也隨之開(kāi)啟了從100G,400G向800G乃至1.6T的跨越式升級(jí).這一升級(jí)不僅是帶寬的簡(jiǎn)單提升,更是對(duì)整個(gè)光通信產(chǎn)業(yè)鏈中關(guān)鍵元器件性能的全面考驗(yàn),而晶體振蕩器作為"頻率心臟",其精度,穩(wěn)定性與可靠性直接決定了光通信系統(tǒng)的傳輸效率與信號(hào)質(zhì)量,成為推動(dòng)次世代光通信技術(shù)落地的關(guān)鍵一環(huán).

光通信技術(shù)發(fā)展浪潮:從"夠用"到"極速"的迭代之路

回顧光通信技術(shù)的發(fā)展歷程,每一次速率躍遷都與底層元器件的技術(shù)突破密不可分.早年間,10G/40G光模塊憑借成熟的技術(shù)方案,滿(mǎn)足了互聯(lián)網(wǎng)初期的數(shù)據(jù)傳輸需求;隨著云計(jì)算,大數(shù)據(jù)中心的大規(guī)模建設(shè),400G光模塊在2020年后逐漸成為市場(chǎng)主流,支撐起全球數(shù)據(jù)中心內(nèi)部及跨地域的高速互聯(lián).但進(jìn)入2023年,以ChatGPT為代表的生成式AI技術(shù)爆發(fā),單個(gè)人工智能訓(xùn)練集群每天產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量可達(dá)數(shù)十PB,400G光模塊的帶寬已逐漸難以滿(mǎn)足"算力密集型"場(chǎng)景下的低延遲,高吞吐需求,800G/1.6T光模塊開(kāi)始加速商業(yè)化落地.根據(jù)行業(yè)研究機(jī)構(gòu)LightCounting的數(shù)據(jù)顯示,2024年全球800G光模塊出貨量預(yù)計(jì)突破100萬(wàn)只,同比增長(zhǎng)超300%,而1.6T光模塊已在Meta,AWS等頭部云廠(chǎng)商的實(shí)驗(yàn)室中完成測(cè)試,預(yù)計(jì)2025年進(jìn)入小規(guī)模量產(chǎn)階段.在這一技術(shù)迭代過(guò)程中,晶體振蕩器的作用愈發(fā)關(guān)鍵——光模塊的信號(hào)傳輸需基于精準(zhǔn)的時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行同步,一旦時(shí)鐘信號(hào)出現(xiàn)偏差或抖動(dòng),就可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤,甚至引發(fā)整個(gè)通信鏈路的中斷.對(duì)于800G/1.6T光模塊而言,其每秒鐘需傳輸?shù)臄?shù)據(jù)包數(shù)量是400G模塊的2-4倍,這要求石英晶體振蕩器具備更高的頻率精度,更低的相位抖動(dòng)以及更強(qiáng)的環(huán)境抗干擾能力,傳統(tǒng)工藝制造的晶振已難以滿(mǎn)足需求.

NDK光刻技術(shù):晶振制造新變革,破解高速通信"頻率難題"

在次世代光通信對(duì)晶振性能提出更高要求的背景下,日本電波工業(yè)(NDK)憑借其自主研發(fā)的高精度光刻技術(shù),為晶振制造領(lǐng)域帶來(lái)了革命性突破.作為全球領(lǐng)先的頻率控制元器件廠(chǎng)商,NDK進(jìn)口晶振深耕晶振領(lǐng)域數(shù)十年,此次將光刻技術(shù)引入晶振生產(chǎn),不僅打破了傳統(tǒng)制造工藝的局限,更重新定義了高速光通信場(chǎng)景下晶振的性能標(biāo)準(zhǔn).光刻技術(shù)的原理與演進(jìn):從半導(dǎo)體到晶振的"精度遷移"光刻技術(shù)最早廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片制造,其核心原理是通過(guò)紫外光(或深紫外光,極紫外光)照射涂有光刻膠的晶圓,將掩膜版上的電路圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面,從而實(shí)現(xiàn)微米級(jí)甚至納米級(jí)的精細(xì)圖案加工.在傳統(tǒng)晶振制造中,廠(chǎng)商多采用"光刻+蝕刻"的簡(jiǎn)化工藝,但其圖案分辨率通常在10微米以上,且存在圖案邊緣粗糙,一致性差等問(wèn)題,難以滿(mǎn)足800G/1.6T光模塊對(duì)晶振的高精度需求.?隨著光通信速率的提升,晶振的頻率穩(wěn)定性誤差需控制在±10ppm以?xún)?nèi),相位抖動(dòng)需低于50fs(12kHz-20MHz頻段),這要求晶振的電極圖案,石英晶片切割精度達(dá)到微米級(jí)甚至亞微米級(jí).NDK通過(guò)對(duì)光刻技術(shù)的改良,將半導(dǎo)體領(lǐng)域的深紫外光刻(DUV)技術(shù)引入晶振生產(chǎn),實(shí)現(xiàn)了對(duì)石英晶片表面圖案的"納米級(jí)雕刻"——其光刻分辨率可達(dá)1微米以下,圖案邊緣粗糙度控制在0.1微米以?xún)?nèi),遠(yuǎn)超傳統(tǒng)工藝水平.這一技術(shù)突破不僅讓晶振的頻率精度得到質(zhì)的提升,更使其在高溫,振動(dòng)等惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定性顯著增強(qiáng).

NDK光刻技術(shù)優(yōu)勢(shì)剖析:三大核心能力支撐高速光通信

超高頻率精度,降低信號(hào)同步誤差

對(duì)于800G/1.6T光模塊而言,時(shí)鐘信號(hào)的微小偏差都可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)幀錯(cuò)位,影響傳輸效率.NDK采用光刻技術(shù)制造的晶振,通過(guò)精準(zhǔn)控制石英晶片的厚度與電極圖案的形狀,將頻率偏差控制在±5ppm以?xún)?nèi)(工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)),部分高端型號(hào)甚至可達(dá)±2ppm,遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)工藝的±10ppm.這一精度提升可使光模塊的信號(hào)同步誤差降低40%以上,有效減少數(shù)據(jù)重傳次數(shù),提升整體通信鏈路的吞吐量.超低相位抖動(dòng),優(yōu)化信號(hào)質(zhì)量,相位抖動(dòng)是衡量晶振性能的另一關(guān)鍵指標(biāo),它反映了時(shí)鐘信號(hào)在時(shí)間維度上的波動(dòng)程度.在高速光通信中,相位抖動(dòng)過(guò)大會(huì)導(dǎo)致信號(hào)"邊緣模糊",增加誤碼率.NDK通過(guò)光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)了電極圖案的均勻分布,減少了石英晶片振動(dòng)時(shí)的能量損耗,將晶振的相位抖動(dòng)控制在30fs以下(12kHz-20MHz頻段),而傳統(tǒng)工藝制造的晶振相位抖動(dòng)通常在50fs以上.這一優(yōu)勢(shì)可使800G光模塊的誤碼率從10降低至10,滿(mǎn)足核心數(shù)據(jù)中心對(duì)"零差錯(cuò)"傳輸?shù)男枨?高環(huán)境適應(yīng)性,提升產(chǎn)品可靠性,光模塊通常部署在數(shù)據(jù)中心機(jī)房,通信基站等環(huán)境中,面臨高溫(40-85℃),濕度變化,機(jī)械振動(dòng)等多種挑戰(zhàn).NDK在光刻工藝中引入了"多層鍍膜保護(hù)技術(shù)",在石英晶片表面形成一層厚度均勻的二氧化硅保護(hù)膜,不僅能隔絕水汽與灰塵,還能減少溫度變化對(duì)晶片振動(dòng)特性的影響.經(jīng)測(cè)試,采用該技術(shù)的晶振在-40℃至85℃的溫度范圍內(nèi),頻率穩(wěn)定性變化率低于3ppm,遠(yuǎn)優(yōu)于行業(yè)平均的5ppm,可確保800G/1.6T光模塊在復(fù)雜環(huán)境下長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行.156.25/312.5MHz差分輸出晶體振蕩器:次世代光通信的"頻率標(biāo)配"針對(duì)800G/1.6T光通信模塊的需求,NDK推出了156.25MHz與312.5MHz差分輸出晶體振蕩器,這兩款產(chǎn)品不僅集成了光刻技術(shù)的全部?jī)?yōu)勢(shì),更通過(guò)差異化的頻率設(shè)計(jì),覆蓋了不同光模塊的應(yīng)用場(chǎng)景,成為當(dāng)前次世代光通信領(lǐng)域的"明星產(chǎn)品".

關(guān)鍵性能參數(shù)解析:從數(shù)據(jù)看產(chǎn)品硬實(shí)力

頻率與輸出方式:匹配光模塊時(shí)鐘需求156.25MHz晶振主要用于800G光模塊中的"4×200G"架構(gòu),通過(guò)4路200G信號(hào)的并行傳輸實(shí)現(xiàn)800G帶寬,其頻率與光模塊內(nèi)部的SerDes(串行器/解串器)接口時(shí)鐘完全匹配;而312.5MHz晶振則適用于"2×400G"架構(gòu)的800G光模塊及1.6T光模塊,可滿(mǎn)足更高速率下的時(shí)鐘同步需求.兩款產(chǎn)品均采用差分輸出方式(LVPECL/LVDS接口),相比單端輸出,6G差分晶振輸出能有效抑制共模噪聲,減少信號(hào)傳輸過(guò)程中的干擾,尤其適合在數(shù)據(jù)中心等電磁環(huán)境復(fù)雜的場(chǎng)景中使用.相位噪聲與電源噪聲抑制:保障信號(hào)純凈度,相位噪聲是相位抖動(dòng)在頻域上的表現(xiàn),直接影響光模塊接收端對(duì)信號(hào)的解調(diào)精度.NDK的156.25MHz晶振在1kHz偏移頻率下的相位噪聲為-120dBc/Hz,312.5MHz晶振在相同偏移頻率下的相位噪聲為-118dBc/Hz,均處于行業(yè)領(lǐng)先水平.此外,兩款產(chǎn)品還集成了電源噪聲抑制(PSRR)功能,在3.3V供電電壓下,PSRR可達(dá)-50dB@1kHz,能有效過(guò)濾電源波動(dòng)對(duì)時(shí)鐘信號(hào)的影響,確保輸出信號(hào)的純凈度.尺寸與功耗:適配高密度光模塊設(shè)計(jì),隨著數(shù)據(jù)中心對(duì)空間利用率的要求不斷提高,光模塊的小型化成為趨勢(shì).NDK的156.25/312.5MHz晶振采用超小型封裝(7050尺寸,即7mm×5mm×1.8mm),相比傳統(tǒng)8060尺寸的晶振,體積減少了30%,可輕松集成到高密度800G光模塊中.在功耗方面,兩款產(chǎn)品的典型工作電流僅為8mA(3.3V供電),遠(yuǎn)低于行業(yè)平均的12mA,能有效降低光模塊的整體功耗,符合數(shù)據(jù)中心"綠色節(jié)能"的發(fā)展方向.

在800G/1.6T光通信中的應(yīng)用場(chǎng)景:從數(shù)據(jù)中心到骨干網(wǎng)

數(shù)據(jù)中心內(nèi)部互聯(lián)(DCI)在大型數(shù)據(jù)中心內(nèi)部,服務(wù)器與交換機(jī),交換機(jī)與路由器之間的互聯(lián)需要高帶寬,低延遲的光模塊支持.NDK的156.25MHz晶振憑借其超低相位抖動(dòng),可確保800G光模塊在傳輸過(guò)程中實(shí)現(xiàn)"微秒級(jí)"延遲,滿(mǎn)足AI訓(xùn)練,實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)分析等對(duì)延遲敏感的應(yīng)用需求.目前,亞馬遜AWS,微軟Azure等頭部云廠(chǎng)商已在其新一代數(shù)據(jù)中心中采用該款晶振,用于支撐內(nèi)部高速數(shù)據(jù)交互.長(zhǎng)途骨干網(wǎng)傳輸,長(zhǎng)途骨干網(wǎng)需要光模塊具備更強(qiáng)的抗干擾能力和穩(wěn)定性,以應(yīng)對(duì)復(fù)雜的戶(hù)外環(huán)境.NDK的312.5MHz晶振通過(guò)高環(huán)境適應(yīng)性設(shè)計(jì),可在-40℃至85℃的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,同時(shí)具備抗振動(dòng)(10-2000Hz,10G加速度),抗沖擊(1000G,0.5ms)的特性,非常適合用于1.6T長(zhǎng)途光模塊.國(guó)內(nèi)運(yùn)營(yíng)商如中國(guó)移動(dòng),中國(guó)電信已在部分省際骨干網(wǎng)中試點(diǎn)部署搭載該晶振的1.6T光模塊,傳輸距離可達(dá)1000公里以上,且誤碼率控制在10以下.超算中心與AI集群,超級(jí)計(jì)算機(jī)與AI訓(xùn)練集群的算力密度極高,每臺(tái)設(shè)備產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量可達(dá)TB級(jí)/秒,需要800G/1.6T光模塊實(shí)現(xiàn)設(shè)備間的高速互聯(lián).NDK的156.25/312.5MHz晶振憑借其高頻率精度和低功耗時(shí)鐘振蕩器,可確保多臺(tái)設(shè)備之間的時(shí)鐘信號(hào)同步,避免因時(shí)鐘偏差導(dǎo)致的數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤.目前,國(guó)內(nèi)的國(guó)家超級(jí)計(jì)算中心,華為昇騰AI集群已采用該系列晶振,用于提升集群的整體運(yùn)算效率.

NDK晶振與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局:技術(shù)領(lǐng)先,搶占高速光通信賽道

在全球光通信晶振市場(chǎng)中,NDK憑借其光刻技術(shù)優(yōu)勢(shì)和產(chǎn)品性能,已成為眾多頭部光模塊廠(chǎng)商的首選合作伙伴,其市場(chǎng)地位和競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)正不斷凸顯.NDK在光通信晶振領(lǐng)域地位:從"參與者"到"引領(lǐng)者"根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)YoleIntelligence的數(shù)據(jù)顯示,2024年全球光通信晶振市場(chǎng)規(guī)模約為12億美元,其中NDK以28%的市場(chǎng)占有率位居全球第一,遠(yuǎn)超第二名(18%)和第三名(15%).這一成績(jī)的背后,是NDK在技術(shù)研發(fā)上的持續(xù)投入——公司每年將營(yíng)收的15%用于研發(fā),其中超60%的研發(fā)費(fèi)用投入到光通信相關(guān)晶振產(chǎn)品中.截至2024年,NDK已在光刻技術(shù),石英晶片加工,封裝工藝等領(lǐng)域累計(jì)申請(qǐng)專(zhuān)利超500項(xiàng),形成了完整的技術(shù)壁壘.在客戶(hù)合作方面,NDK已與全球前十大光模塊廠(chǎng)商(如中際旭創(chuàng),Finisar,Coherent等)建立了長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作關(guān)系,其156.25/312.5MHz晶振在800G光模塊中的滲透率超過(guò)60%.以中際旭創(chuàng)為例,該公司2024年800G光模塊出貨量占全球市場(chǎng)的35%,其中90%以上的產(chǎn)品采用NDK的晶振,這一合作不僅驗(yàn)證了NDK產(chǎn)品的可靠性,更鞏固了其在高速光通信晶振領(lǐng)域的領(lǐng)先地位.

對(duì)比其他品牌的優(yōu)勢(shì):從性能到服務(wù)的全面領(lǐng)先

性能對(duì)比:核心指標(biāo)優(yōu)勢(shì)顯著與同行業(yè)其他品牌(如京瓷,愛(ài)普生,SiTime)的同類(lèi)產(chǎn)品相比,NDK的156.25/312.5MHz晶振在核心性能指標(biāo)上具有明顯優(yōu)勢(shì).以相位抖動(dòng)為例,京瓷同型號(hào)產(chǎn)品的相位抖動(dòng)為45fs,愛(ài)普生為50fs,而NDK僅為30fs;在頻率穩(wěn)定性方面,SiTime的產(chǎn)品在溫度變化時(shí)的頻率漂移為4ppm,而NDK僅為3ppm.這些性能優(yōu)勢(shì)使得NDK的晶振能夠更好地滿(mǎn)足800G/1.6T光模塊的高要求.?成本對(duì)比:規(guī)?；a(chǎn)降低客戶(hù)成本?盡管光刻技術(shù)的初期研發(fā)成本較高,但NDK通過(guò)規(guī)模化生產(chǎn)(每月產(chǎn)能超100萬(wàn)只)和供應(yīng)鏈優(yōu)化,有效降低了產(chǎn)品成本.目前,NDK的156.25MHz晶振單價(jià)約為15美元,312.5MHz晶振單價(jià)約為18美元,與京瓷,愛(ài)普生的同類(lèi)產(chǎn)品(單價(jià)18-22美元)相比,具有5%-15%的價(jià)格優(yōu)勢(shì).對(duì)于光模塊廠(chǎng)商而言,選擇NDK的晶振不僅能提升產(chǎn)品性能,還能降低整體生產(chǎn)成本,增強(qiáng)產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力.服務(wù)對(duì)比:定制化方案快速響應(yīng)客戶(hù)需求?不同光模塊廠(chǎng)商的設(shè)計(jì)方案存在差異,對(duì)晶振的參數(shù)要求也各不相同.NDK針對(duì)這一需求,推出了"定制化服務(wù)"——客戶(hù)可根據(jù)自身光模塊的架構(gòu),封裝尺寸,功耗要求等,向NDK提出個(gè)性化的晶振參數(shù)需求,NDK的研發(fā)團(tuán)隊(duì)可在4-6周內(nèi)完成定制化產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與樣品交付,遠(yuǎn)快于行業(yè)平均的8-10周.此外,NDK還在全球設(shè)立了12個(gè)技術(shù)支持中心(覆蓋中國(guó),美國(guó),歐洲,日本等主要市場(chǎng)),可為客戶(hù)提供7×24小時(shí)的技術(shù)咨詢(xún)與故障排查服務(wù),確保客戶(hù)產(chǎn)品的順利研發(fā)與量產(chǎn).

光刻賦能NDK晶振開(kāi)啟800G/1.6T光通信新時(shí)代

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