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首页晶振行业动态 STATEK晶体和晶体振荡器产品的处理指南

STATEK晶体和晶体振荡器产品的处理指南

来源：http://m.hneyq.com 作者：亿金电子 2022年06月07
介绍
TC-12.000MBD-T,TD-12.000MBD-T,TD-4.096MBD-T.为了保护和确保可焊性,Statek晶振建议将我们的标准产品储存在15°C至35°C的温度和25%至85%RH的湿度下。
本文档提供了在客户所在地处理晶体或晶体振荡器产品的指南。它涵盖了从在客户码头收到产品并存储在客户货架上的产品处理，通过从装运箱中取出、电路板焊接和分板/分割，以及在客户的最终产品中安装到客户的电路板上。
7XZ-32.768KDA-T TXC晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KDA-T TXC晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KDA-T TXC晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KDE-T TXC晶振 7XZ XO  32.768kHz ±50ppm
7XZ-32.768KDE-T TXC晶振 7XZ XO  32.768kHz ±50ppm
7XZ-32.768KDE-T TXC晶振 7XZ XO  32.768kHz ±50ppm
7W-8.000MBB-T TXC晶振 7W XO  8MHz ±50ppm
7W-8.000MBB-T TXC晶振 7W XO  8MHz ±50ppm
7W-8.000MBB-T TXC晶振 7W XO  8MHz ±50ppm
7W-50.000MBB-T TXC晶振 7W XO  50MHz ±50ppm
7W-50.000MBB-T TXC晶振 7W XO  50MHz ±50ppm
7W-50.000MBB-T TXC晶振 7W XO  50MHz ±50ppm
7W-50.000MBA-T TXC晶振 7W XO  50MHz ±25ppm
7W-50.000MBA-T TXC晶振 7W XO  50MHz ±25ppm
7W-50.000MBA-T TXC晶振 7W XO  50MHz ±25ppm
AU-26.000MBE-T TXC晶振 AU XO  26MHz ±50ppm
AU-26.000MBE-T TXC晶振 AU XO  26MHz ±50ppm
AU-26.000MBE-T TXC晶振 AU XO  26MHz ±50ppm
7C-40.000MBA-T TXC晶振 7C XO  40MHz ±25ppm
7C-40.000MBA-T TXC晶振 7C XO  40MHz ±25ppm
7C-40.000MBA-T TXC晶振 7C XO  40MHz ±25ppm
7Z-38.400MBG-T TXC晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
7Z-38.400MBG-T TXC晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
7Z-38.400MBG-T TXC晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
6U-16.384MBE-T TXC晶振 6U VCXO 16.384MHz ±50ppm
6U-16.384MBE-T TXC晶振 6U VCXO 16.384MHz ±50ppm
6U-16.384MBE-T TXC晶振 6U VCXO 16.384MHz ±50ppm
BF-125.000MBE-T TXC晶振 BF XO  125MHz ±50ppm
尽管本技术说明为所有晶体和晶体振荡器设备提供了处理指南，但Statek晶体和晶体振荡器的设计和制造坚固耐用，在遭受错误处理时应该优于行业中的平均晶体和晶体振荡器。 
BF-125.000MBE-T TXC晶振 BF XO  125MHz ±50ppm
BF-125.000MBE-T TXC晶振 BF XO  125MHz ±50ppm
BF-100.000MBE-T TXC晶振 BF XO  100MHz ±50ppm
BF-100.000MBE-T TXC晶振 BF XO  100MHz ±50ppm
BF-100.000MBE-T TXC晶振 BF XO  100MHz ±50ppm
BX-100.000MBE-T TXC晶振 BX XO  100MHz ±50ppm
BX-100.000MBE-T TXC晶振 BX XO  100MHz ±50ppm
BX-100.000MBE-T TXC晶振 BX XO  100MHz ±50ppm
CX-100.000MBE-T TXC晶振 CX XO  100MHz ±50ppm
CX-100.000MBE-T TXC晶振 CX XO  100MHz ±50ppm
CX-100.000MBE-T TXC晶振 CX XO  100MHz ±50ppm
7XZ-32.768KBA-T TXC晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KBA-T TXC晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KBA-T TXC晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7W-25.000MBB-T TXC晶振 7W XO  25MHz ±50ppm
7W-25.000MBB-T TXC晶振 7W XO  25MHz ±50ppm
7W-25.000MBB-T TXC晶振 7W XO  25MHz ±50ppm
7W-48.000MBB-T TXC晶振 7W XO  48MHz ±50ppm
7W-48.000MBB-T TXC晶振 7W XO  48MHz ±50ppm
7W-48.000MBB-T TXC晶振 7W XO  48MHz ±50ppm
7X-19.200MBB-T TXC晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBB-T TXC晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBB-T TXC晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
AW-11.2896MBE-T TXC晶振 AW XO  11.2896MHz ±50ppm
AW-11.2896MBE-T TXC晶振 AW XO  11.2896MHz ±50ppm
AW-11.2896MBE-T TXC晶振 AW XO  11.2896MHz ±50ppm
AU-50.000MBE-T TXC晶振 AU XO  50MHz ±50ppm
所有晶体和晶体振荡器的一般处理指南
晶体和振荡器产品的设计和制造能够承受一定的冲击水平。这些级别在产品数据表的“规格”部分中进行了说明。由于处理或制造过程步骤而超过这些冲击水平可能会导致设备的电气特性发生变化和/或实际损坏。
AU-50.000MBE-T TXC晶振 AU XO  50MHz ±50ppm
AU-50.000MBE-T TXC晶振 AU XO  50MHz ±50ppm
7X-38.400MBA-T TXC晶振 7X XO  38.4MHz ±25ppm
7X-38.400MBA-T TXC晶振 7X XO  38.4MHz ±25ppm
7X-38.400MBA-T TXC晶振 7X XO  38.4MHz ±25ppm
8W-12.000MBA-T TXC晶振 8W XO  12MHz ±25ppm
8W-12.000MBA-T TXC晶振 8W XO  12MHz ±25ppm
8W-12.000MBA-T TXC晶振 8W XO  12MHz ±25ppm
BB-125.000MBE-T TXC晶振 BB XO  125MHz ±50ppm
BB-125.000MBE-T TXC晶振 BB XO  125MHz ±50ppm
BB-125.000MBE-T TXC晶振 BB XO  125MHz ±50ppm
7W-4.096MBB-T TXC晶振 7W XO  4.096MHz ±50ppm
7W-4.096MBB-T TXC晶振 7W XO  4.096MHz ±50ppm
7W-4.096MBB-T TXC晶振 7W XO  4.096MHz ±50ppm
7W-40.000MBB-T TXC晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7W-40.000MBB-T TXC晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7W-40.000MBB-T TXC晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC晶振 7C XO  26MHz ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC晶振 7C XO  26MHz ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC晶振 7C XO  26MHz ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC晶振 7C XO  40MHz ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC晶振 7C XO  40MHz ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC晶振 7C XO  40MHz ±50ppm
7W-66.6666MBB-T TXC晶振 7W XO  66.6666MHz ±50ppm
7W-66.6666MBB-T TXC晶振 7W XO  66.6666MHz ±50ppm
7W-66.6666MBB-T TXC晶振 7W XO  66.6666MHz ±50ppm
7W-24.576MBA-T TXC晶振 7W XO  24.576MHz ±25ppm
7W-24.576MBA-T TXC晶振 7W XO  24.576MHz ±25ppm
7W-24.576MBA-T TXC晶振 7W XO  24.576MHz ±25ppm
7X-19.200MBA-T TXC晶振 7X XO  19.2MHz ±25ppm
为了保护和确保可焊性，Statek建议将我们的标准产品储存在15°C至35°C的温度和25%至85%RH的湿度下。
一些客户报告说，对晶体进行超声波清洗会损坏晶体，或者在极端情况下会导致晶体破裂。这种损坏或破损可能发生在低频和高频晶体中。因此，我们建议客户在对我们的设备进行超声波清洗时要小心，并首先尝试验证这样的清洗过程不会损坏设备。
7X-19.200MBA-T TXC晶振 7X XO  19.2MHz ±25ppm
7X-19.200MBA-T TXC晶振 7X XO  19.2MHz ±25ppm
BB-161.1328MBE-T TXC晶振 BB XO  161.1328MHz ±50ppm
BB-161.1328MBE-T TXC晶振 BB XO  161.1328MHz ±50ppm
BB-161.1328MBE-T TXC晶振 BB XO  161.1328MHz ±50ppm
7X-20.000MBE-T TXC晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBE-T TXC晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBE-T TXC晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBB-T TXC晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBB-T TXC晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBB-T TXC晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
AU-33.000MBE-T TXC晶振 AU XO  33MHz ±50ppm
AU-33.000MBE-T TXC晶振 AU XO  33MHz ±50ppm
AU-33.000MBE-T TXC晶振 AU XO  33MHz ±50ppm
7WA2572007 TXC晶振 7W XO  125MHz ±50ppm
7WA2572007 TXC晶振 7W XO  125MHz ±50ppm
7WA2572007 TXC晶振 7W XO  125MHz ±50ppm
6U-32.768MBE-T TXC晶振 6U VCXO 32.768MHz ±50ppm
6U-32.768MBE-T TXC晶振 6U VCXO 32.768MHz ±50ppm
6U-32.768MBE-T TXC晶振 6U VCXO 32.768MHz ±50ppm
BF-62.500MBE-T TXC晶振 BF XO  62.5MHz ±50ppm
BF-62.500MBE-T TXC晶振 BF XO  62.5MHz ±50ppm
BF-62.500MBE-T TXC晶振 BF XO  62.5MHz ±50ppm
BB-150.000MBE-T TXC晶振 BB XO  150MHz ±50ppm
BB-150.000MBE-T TXC晶振 BB XO  150MHz ±50ppm
如果使用自动组装机或拾放机将零件从托盘或卷轴上放置到板上，建议调整机器臂的速度，并且机器正确对减速和设备高度进行编程，以免在放置零件时由于头部的冲击而损坏零件。使用柔软或橡胶包覆的尖端也有助于消除对设备的任何损坏。
BB-150.000MBE-T TXC晶振 BB XO  150MHz ±50ppm
BR-61.4400MBE-T TXC晶振 BR VCXO 61.44MHz ±50ppm
BR-61.4400MBE-T TXC晶振 BR VCXO 61.44MHz ±50ppm
BR-61.4400MBE-T TXC晶振 BR VCXO 61.44MHz ±50ppm
7N-12.800MBP-T TXC晶振 7N TCXO 12.8MHz ±280ppb
7N-12.800MBP-T TXC晶振 7N TCXO 12.8MHz ±280ppb
7N-12.800MBP-T TXC晶振 7N TCXO 12.8MHz ±280ppb
7N-26.000MBP-T TXC晶振 7N TCXO 26MHz ±280ppb
7N-26.000MBP-T TXC晶振 7N TCXO 26MHz ±280ppb
7N-26.000MBP-T TXC晶振 7N TCXO 26MHz ±280ppb
TC-3.6864MBD-T TXC晶振 TC MEMS 3.6864MHz ±25ppm
TC-3.6864MBD-T TXC晶振 TC MEMS 3.6864MHz ±25ppm
TC-3.6864MBD-T TXC晶振 TC MEMS 3.6864MHz ±25ppm
TC-70.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 70MHz ±25ppm
TC-70.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 70MHz ±25ppm
TC-70.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 70MHz ±25ppm
TD-19.200MBD-T TXC晶振 TD MEMS 19.2MHz ±25ppm
TD-19.200MBD-T TXC晶振 TD MEMS 19.2MHz ±25ppm
TD-19.200MBD-T TXC晶振 TD MEMS 19.2MHz ±25ppm
TD-3.6864MBD-T TXC晶振 TD MEMS 3.6864MHz ±25ppm
TD-3.6864MBD-T TXC晶振 TD MEMS 3.6864MHz ±25ppm
TD-3.6864MBD-T TXC晶振 TD MEMS 3.6864MHz ±25ppm
TD-64.000MBD-T TXC晶振 TD MEMS 64MHz ±25ppm
TD-64.000MBD-T TXC晶振 TD MEMS 64MHz ±25ppm
TD-64.000MBD-T TXC晶振 TD MEMS 64MHz ±25ppm
TD-7.3728MBD-T TXC晶振 TD MEMS 7.3728MHz ±25ppm
TD-7.3728MBD-T TXC晶振 TD MEMS 7.3728MHz ±25ppm
TD-7.3728MBD-T TXC晶振 TD MEMS 7.3728MHz ±25ppm
7W-32.000MBB-T TXC晶振 7W XO  32MHz ±50ppm
7W-32.000MBB-T TXC晶振 7W XO  32MHz ±50ppm
处理所有晶体和晶体振荡器的印刷线路板
在电路板制造/焊接过程中，应尽量减少任何电路板剪切、弯曲、扭曲、振动或类似力，以降低损坏设备的风险。
7W-32.000MBB-T TXC晶振 7W XO  32MHz ±50ppm
7X-19.200MBE-T TXC晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBE-T TXC晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBE-T TXC晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
8W-26.000MBE-T TXC晶振 8W XO  26MHz ±50ppm
8W-26.000MBE-T TXC晶振 8W XO  26MHz ±50ppm
8W-26.000MBE-T TXC晶振 8W XO  26MHz ±50ppm
7X-30.000MBE-T TXC晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-30.000MBE-T TXC晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-30.000MBE-T TXC晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-25.000MBE-T TXC晶振 7X XO  25MHz ±50ppm
7X-25.000MBE-T TXC晶振 7X XO  25MHz ±50ppm
7X-25.000MBE-T TXC晶振 7X XO  25MHz ±50ppm
7X-38.400MBE-T TXC晶振 7X XO  38.4MHz ±50ppm
7X-38.400MBE-T TXC晶振 7X XO  38.4MHz ±50ppm
7X-38.400MBE-T TXC晶振 7X XO  38.4MHz ±50ppm
7X-48.000MBE-T TXC晶振 7X XO  48MHz ±50ppm
7X-48.000MBE-T TXC晶振 7X XO  48MHz ±50ppm
7X-48.000MBE-T TXC晶振 7X XO  48MHz ±50ppm
8W-20.000MBE-T TXC晶振 8W XO  20MHz ±50ppm
8W-20.000MBE-T TXC晶振 8W XO  20MHz ±50ppm
8W-20.000MBE-T TXC晶振 8W XO  20MHz ±50ppm
8W-13.000MBE-T TXC晶振 8W XO  13MHz ±50ppm
8W-13.000MBE-T TXC晶振 8W XO  13MHz ±50ppm
8W-13.000MBE-T TXC晶振 8W XO  13MHz ±50ppm
7X-50.000MBE-T TXC晶振 7X XO  50MHz ±50ppm
7X-50.000MBE-T TXC晶振 7X XO  50MHz ±50ppm
7X-50.000MBE-T TXC晶振 7X XO  50MHz ±50ppm
8W-24.000MBE-T TXC晶振 8W XO  24MHz ±50ppm
8W-24.000MBE-T TXC晶振 8W XO  24MHz ±50ppm
如果PC板面板包含超过一定数量的板（例如，25到30个板），则任何此类问题都可能会加剧。由于板填充过程引入到板的部分力被传递到板上的所有板，在每个板有大量板的情况下，累积振动效应转移到板上的最后几块板可能被证明是过度的。
8W-24.000MBE-T TXC晶振 8W XO  24MHz ±50ppm
7X-26.000MBE-T TXC晶振 7X XO  26MHz ±50ppm
7X-26.000MBE-T TXC晶振 7X XO  26MHz ±50ppm
7X-26.000MBE-T TXC晶振 7X XO  26MHz ±50ppm
TD-4.096MBD-T TXC晶振 TD MEMS 4.096MHz ±25ppm
TD-4.096MBD-T TXC晶振 TD MEMS 4.096MHz ±25ppm
TD-4.096MBD-T TXC晶振 TD MEMS 4.096MHz ±25ppm
TC-33.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 33MHz ±25ppm
TC-33.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 33MHz ±25ppm
TC-33.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 33MHz ±25ppm
TD-40.000MBD-T TXC晶振 TD MEMS 40MHz ±25ppm
TD-40.000MBD-T TXC晶振 TD MEMS 40MHz ±25ppm
TD-40.000MBD-T TXC晶振 TD MEMS 40MHz ±25ppm
TD-49.152MBD-T TXC晶振 TD MEMS 49.152MHz ±25ppm
TD-49.152MBD-T TXC晶振 TD MEMS 49.152MHz ±25ppm
TD-49.152MBD-T TXC晶振 TD MEMS 49.152MHz ±25ppm
TC-4.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 4MHz ±25ppm
TC-4.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 4MHz ±25ppm
TC-4.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 4MHz ±25ppm
TC-16.0972MBD-T TXC晶振 TC MEMS 16.0972MHz ±25ppm
TC-16.0972MBD-T TXC晶振 TC MEMS 16.0972MHz ±25ppm
TC-16.0972MBD-T TXC晶振 TC MEMS 16.0972MHz ±25ppm
TD-24.576MBD-T TXC晶振 TD MEMS 24.576MHz ±25ppm
TD-24.576MBD-T TXC晶振 TD MEMS 24.576MHz ±25ppm
TD-24.576MBD-T TXC晶振 TD MEMS 24.576MHz ±25ppm
TC-24.576MBD-T TXC晶振 TC MEMS 24.576MHz ±25ppm
TC-24.576MBD-T TXC晶振 TC MEMS 24.576MHz ±25ppm
TC-24.576MBD-T TXC晶振 TC MEMS 24.576MHz ±25ppm
TD-12.000MBD-T TXC晶振 TD MEMS 12MHz ±25ppm
TD-12.000MBD-T TXC晶振 TD MEMS 12MHz ±25ppm
TD-12.000MBD-T TXC晶振 TD MEMS 12MHz ±25ppm
TC-20.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 20MHz ±25ppm
TC-20.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 20MHz ±25ppm
TC-20.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 20MHz ±25ppm
TC-12.000MBD-T TXC晶振 TC MEMS 12MHz ±25ppm

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